English
Spain
Rusia
China
GermanyRJM0603JSC-00#13
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
RJM0603JSC-00#13
DESCRIZIONE
MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A 20HSOP
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Mosfet Array 60V 20A 54W Surface Mount 20-HSOP
PRODUTTORE
Renesas Electronics Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Product Status
Obsolete
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET Feature
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
43nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2600pF @ 10V
Power - Max
54W
Operating Temperature
175°C
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
Supplier Device Package
20-HSOP
Base Product Number
RJM0603
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Renesas Electronics Corporation RJM0603JSC-00#13
Documenti e supporti
PCN Obsolescence/ EOL
1(RJM0603JSC-00#13 EOL 20/Jun/2016)
PCN Packaging
1(Label Change-All Devices 01/Dec/2022)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : RJM0603JSC-00#12
Produttore. : Renesas Electronics Corporation
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.00000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.00000
Tipo sostitutivo. : Similar