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GermanyIPP26CN10NGHKSA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IPP26CN10NGHKSA1
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 100V 35A TO220-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 100 V 35A (Tc) 71W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
500
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 39µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2070 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
71W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
IPP26C
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
IPP26CN10N G-ND
SP000096471
IPP26CN10NGXK
IPP26CN10N G
IPP26CN10NGX
SP000680922
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPP26CN10NGHKSA1
Documenti e supporti
Datasheets
1(IPx2xCN10N G)
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1(IPx2xCN10N G)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
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