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GermanyPD20010-E
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
PD20010-E
DESCRIZIONE
RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
RF Mosfet 13.6 V 150 mA 2GHz 11dB 10W PowerSO-10RF (Formed Lead)
PRODUTTORE
STMicroelectronics
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
50
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
STMicroelectronics
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
Technology
LDMOS
Frequency
2GHz
Gain
11dB
Voltage - Test
13.6 V
Current Rating (Amps)
5A
Noise Figure
-
Current - Test
150 mA
Power - Output
10W
Voltage - Rated
40 V
Package / Case
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Supplier Device Package
PowerSO-10RF (Formed Lead)
Base Product Number
PD20010
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
PD20010-E-ND
497-13044-5
PD20010E
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/RF FETs, MOSFETs/STMicroelectronics PD20010-E
Documenti e supporti
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HTML Datasheet
1(PD20010-E)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : ON5407,135
Produttore. : NXP USA Inc.
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.00000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.00000
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