IXTN120N25

Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE

IXTN120N25

DESCRIZIONE

MOSFET N-CH 250V 120A SOT227B

DESCRIZIONE DETTAGLIATA

N-Channel 250 V 120A (Tc) 730W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

PRODUTTORE

IXYS

INIZIATIVA STANDARD

MODELLO EDACAD

PACCHETTO STANDARD

STOCK FORNITORI

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Specifiche tecniche

Mfr

IXYS

Series

MegaMOS™

Package

Tube

Product Status

Obsolete

FET Type

N-Channel

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

120A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

360 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

7700 pF @ 25 V

FET Feature

-

Power Dissipation (Max)

730W (Tc)

Operating Temperature

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type

Chassis Mount

Supplier Device Package

SOT-227B

Package / Case

SOT-227-4, miniBLOC

Base Product Number

IXTN120

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

California Prop 65

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXTN120N25

Documenti e supporti

Environmental Information

1(Ixys IC REACH)

PCN Obsolescence/ EOL

1(Mult DEV EOL/OBS 08/Nov/2023)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

-

1825J5000331FCT REC5-1212SRW/H2/A/M/SMD/CTRL MCR18EZPF2703 RMK55N58K87B ERA-1ARB391C

IXTN120N25

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