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GermanyIRF6794MTR1PBF
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRF6794MTR1PBF
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 25 V 32A (Ta), 200A (Tc) 2.8W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Cut Tape (CT)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
32A (Ta), 200A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4420 pF @ 13 V
FET Feature
Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max)
2.8W (Ta), 100W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DIRECTFET™ MX
Package / Case
DirectFET™ Isometric MX
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
IRF6794MTR1PBFCT
IRF6794MTR1PBFTR
SP001531602
IRF6794MTR1PBFDKR
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF6794MTR1PBF
Documenti e supporti
Datasheets
1(IRF6794M(TR)1PBF)
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Featured Product
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Product Drawings
1(IR Hexfet Circuit)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 100
Prezzo unitario: $1.6498
Imballaggio: Cut Tape (CT)
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Cut Tape (CT)
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 10
Prezzo unitario: $1.95
Imballaggio: Cut Tape (CT)
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Cut Tape (CT)
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $2.28
Imballaggio: Cut Tape (CT)
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Cut Tape (CT)
Moltiplicatore minimo: 1
Sostituti
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