English
Spain
Rusia
China
GermanySQJ912AEP-T2_GE3
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SQJ912AEP-T2_GE3
DESCRIZIONE
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Mosfet Array 40V 30A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
SQJ912AEP-T2_GE3 Models
PACCHETTO STANDARD
3,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.3mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1835pF @ 20V
Power - Max
48W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
PowerPAK® SO-8 Dual
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8 Dual
Base Product Number
SQJ912
Classificazioni ambientali e di esportazione
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Vishay Siliconix SQJ912AEP-T2_GE3
Documenti e supporti
Datasheets
1(SQJ912AEP-T2_GE3)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Devs 18/Jun/2021)
HTML Datasheet
1(SQJ912AEP-T2_GE3)
EDA Models
1(SQJ912AEP-T2_GE3 Models)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : SQJ912DEP-T1_GE3
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 2,855
Prezzo unitario. : $1.01000
Tipo sostitutivo. : Direct
Quantità disponibile. : 2,855
Prezzo unitario. : $1.01000
Tipo sostitutivo. : Direct