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GermanyNE3512S02-T1C-A
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
NE3512S02-T1C-A
DESCRIZIONE
RF MOSFET HFET 2V S02
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
RF Mosfet 2 V 10 mA 12GHz 13.5dB S02
PRODUTTORE
Renesas Electronics Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
460
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Technology
HFET
Frequency
12GHz
Gain
13.5dB
Voltage - Test
2 V
Current Rating (Amps)
70mA
Noise Figure
0.35dB
Current - Test
10 mA
Power - Output
-
Voltage - Rated
4 V
Package / Case
4-SMD, Flat Leads
Supplier Device Package
S02
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Altri nomi
2156-NE3512S02-T1C-A-RETR-ND
2156-NE3512S02-T1C-A
RENRNSNE3512S02-T1C-A
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/RF FETs, MOSFETs/Renesas Electronics Corporation NE3512S02-T1C-A
Documenti e supporti
Datasheets
1(NE3512S02-T1D-A)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 460
Prezzo unitario: $0.65
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 460
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 460
Sostituti
-