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GermanyAUIRF5210S
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
AUIRF5210S
DESCRIZIONE
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
P-Channel 100 V 38A (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2780 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.1W (Ta), 170W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
SP001519218
2156-AUIRF5210S
IFEINFAUIRF5210S
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies AUIRF5210S
Documenti e supporti
Datasheets
1(AUIRF5210S)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Packaging
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML Datasheet
1(AUIRF5210S)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : FQB34P10TM
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $2.82000
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Produttore. : IXYS
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Parte n. : SQM40P10-40L_GE3
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $2.51000
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