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GermanyIXFN100N10S1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IXFN100N10S1
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 100 V 100A (Tc) 360W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
PRODUTTORE
IXYS
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4500 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
360W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Supplier Device Package
SOT-227B
Package / Case
SOT-227-4, miniBLOC
Base Product Number
IXFN100
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFN100N10S1
Documenti e supporti
Datasheets
1(IXFN100N10S1/2/3)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult DEV EOL/OBS 08/Nov/2023)
HTML Datasheet
1(IXFN100N10S1/2/3)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IXFN360N10T
Produttore. : IXYS
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $27.69000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $27.69000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : APT10M11JVRU2
Produttore. : Microchip Technology
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $33.04000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $33.04000
Tipo sostitutivo. : Similar