English
Spain
Rusia
China
GermanySQJ962EP-T1-GE3
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SQJ962EP-T1-GE3
DESCRIZIONE
MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Mosfet Array 60V 8A 25W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
SQJ962EP-T1-GE3 Models
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
475pF @ 25V
Power - Max
25W
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
PowerPAK® SO-8 Dual
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8 Dual
Base Product Number
SQJ962
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Vishay Siliconix SQJ962EP-T1-GE3
Documenti e supporti
Datasheets
1(SQJ962EP-T1-GE3)
PCN Obsolescence/ EOL
1(SIL-053-2014-Rev-1 22/Sep/2014)
HTML Datasheet
1(SQJ962EP-T1-GE3)
EDA Models
1(SQJ962EP-T1-GE3 Models)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : SQJ992EP-T1_GE3
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 2,942
Prezzo unitario. : $1.34000
Tipo sostitutivo. : Direct
Quantità disponibile. : 2,942
Prezzo unitario. : $1.34000
Tipo sostitutivo. : Direct