Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
NVHL020N120SC1
DESCRIZIONE
SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 1200 V 103A (Tc) 535W (Tc) Through Hole TO-247-3
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
7 Weeks
MODELLO EDACAD
NVHL020N120SC1 Models
PACCHETTO STANDARD
30

Specifiche tecniche

Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
103A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 60A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 20mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
203 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+25V, -15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2890 pF @ 800 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
535W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247-3
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
NVHL020

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

488-NVHL020N120SC1
488-NVHL020N120SC1-ND
5556-NVHL020N120SC1

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi NVHL020N120SC1

Documenti e supporti

Datasheets
1(NVHL020N120SC1)
Video File
1(M3S 1200V SiC MOSFETs | Datasheet Preview)
Environmental Information
()
Featured Product
1(Silicon Carbide (SiC) MOSFETs)
PCN Packaging
1(Packing quantity increase 25/Jun/2021)
HTML Datasheet
1(NVHL020N120SC1)
EDA Models
1(NVHL020N120SC1 Models)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 120
Prezzo unitario: $67.47225
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 30
Prezzo unitario: $71.162
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $81.7
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1

Sostituti

-