Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IPAN60R360P7SXKSA1
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 650V 9A TO220
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 650 V 9A (Tc) 22W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
IPAN60R360P7SXKSA1 Models
PACCHETTO STANDARD
50

Specifiche tecniche

Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ P7
Package
Tube
Product Status
Last Time Buy
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 140µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
555 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
22W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220 Full Pack
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Base Product Number
IPAN60

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

SP001866154
2156-IPAN60R360P7SXKSA1
448-IPAN60R360P7SXKSA1

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPAN60R360P7SXKSA1

Documenti e supporti

Datasheets
1(IPAN60R360P7S)
HTML Datasheet
1(IPAN60R360P7S)
EDA Models
1(IPAN60R360P7SXKSA1 Models)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 100
Prezzo unitario: $0.7697
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 10
Prezzo unitario: $0.99
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $1.21
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1

Sostituti

Parte n. : IPA60R180P7XKSA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 484
Prezzo unitario. : $2.58000
Tipo sostitutivo. : Similar