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GermanyNE3513M04-T2B-A
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
NE3513M04-T2B-A
DESCRIZIONE
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4MMOLD
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
RF Mosfet 2 V 10 mA 12GHz 13dB 125mW 4-Super Mini Mold
PRODUTTORE
Renesas Electronics Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
310
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Technology
GaAs HJ-FET
Configuration
N-Channel
Frequency
12GHz
Gain
13dB
Voltage - Test
2 V
Current Rating (Amps)
60mA
Noise Figure
0.65dB
Current - Test
10 mA
Power - Output
125mW
Voltage - Rated
4 V
Package / Case
4-SMD, Flat Leads
Supplier Device Package
4-Super Mini Mold
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Altri nomi
2156-NE3513M04-T2B-A-RETR
RENRNSNE3513M04-T2B-A
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/RF FETs, MOSFETs/Renesas Electronics Corporation NE3513M04-T2B-A
Documenti e supporti
Datasheets
1(NE3513M04-T2B-A)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 310
Prezzo unitario: $0.97
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 310
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 310
Sostituti
-