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GermanyBSP716NH6327XTSA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BSP716NH6327XTSA1
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 75V 2.3A SOT223-4
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 75 V 2.3A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 218µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
315 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.8W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-SOT223-4
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Base Product Number
BSP716
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
ROCINFBSP716NH6327XTSA1
SP001087514
BSP716NH6327XTSA1-ND
BSP716NH6327XTSA1TR
BSP716NH6327XTSA1CT
2156-BSP716NH6327XTSA1
BSP716NH6327XTSA1DKR
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BSP716NH6327XTSA1
Documenti e supporti
Datasheets
1(BSP716N)
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1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Packaging
()
HTML Datasheet
1(BSP716N)
Simulation Models
1(MOSFET OptiMOS™ 75V N-Channel Spice Model)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : FDT86106LZ
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 22,653
Prezzo unitario. : $1.36000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 22,653
Prezzo unitario. : $1.36000
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