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GermanyFF3MR12KM1PHOSA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FF3MR12KM1PHOSA1
DESCRIZIONE
SIC 2N-CH 1200V 375A AG-62MM
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 375A (Tc) Chassis Mount AG-62MM
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
FF3MR12KM1PHOSA1 Models
PACCHETTO STANDARD
8
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolSiC™
Package
Tray
Product Status
Obsolete
Technology
Silicon Carbide (SiC)
Configuration
2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.83mOhm @ 375A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.15V @ 168mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1000nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
29800pF @ 25V
Power - Max
-
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
AG-62MM
Base Product Number
FF3MR12
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
448-FF3MR12KM1PHOSA1
SP005349768
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Infineon Technologies FF3MR12KM1PHOSA1
Documenti e supporti
Datasheets
1(FF3MR12KM1P)
EDA Models
1(FF3MR12KM1PHOSA1 Models)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : FF2MR12KM1HP
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.00000
Tipo sostitutivo. : MFR Recommended
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.00000
Tipo sostitutivo. : MFR Recommended