Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FQD6N25TM
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 250 V 4.4A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-252AA
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
FQD6N25TM Models
PACCHETTO STANDARD
2,500

Specifiche tecniche

Mfr
onsemi
Series
QFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
300 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252AA
Package / Case
-
Base Product Number
FQD6N25

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

FQD6N25TMFSCT
FQD6N25TMFSTR
FQD6N25TMFSDKR
FQD6N25TM-ND

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FQD6N25TM

Documenti e supporti

Datasheets
1(FQD6N25)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 30/Jun/2022)
PCN Design/Specification
()
PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev 13/Aug/2020)
PCN Packaging
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
EDA Models
1(FQD6N25TM Models)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : FCD4N60TM
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 10,613
Prezzo unitario. : $1.57000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : IRFR224TRLPBF
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.67165
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : IRFR224TRPBF
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 2,180
Prezzo unitario. : $1.64000
Tipo sostitutivo. : Similar