Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BSC029N025S G
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 25V 24A/100A TDSON
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 25 V 24A (Ta), 100A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
5,000

Specifiche tecniche

Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
24A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 80µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5090 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.8W (Ta), 78W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-1
Package / Case
8-PowerTDFN

Classificazioni ambientali e di esportazione

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

BSC029N025SGINTR
BSC029N025SGXT
BSC029N025SGINCT
BSC029N025S G-ND
SP000095465
BSC029N025SGINDKR
BSC029N025SG

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BSC029N025S G

Documenti e supporti

Datasheets
1(BSC029N025S G)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(BSC029N025S G)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : BSC025N03MSGATMA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $1.33000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : CSD16407Q5
Produttore. : Texas Instruments
Quantità disponibile. : 5,527
Prezzo unitario. : $1.69000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : FDMC7572S
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.00000
Tipo sostitutivo. : Similar