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GermanyDTB113E
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
DTB113E
DESCRIZIONE
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 350 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
11,539
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Resistor - Base (R1)
1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
1 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
3 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
Power - Max
350 mW
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Supplier Device Package
TO-92 (TO-226)
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Altri nomi
ONSONSDTB113E
2156-DTB113E
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors/onsemi DTB113E
Documenti e supporti
Datasheets
1(Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 11539
Prezzo unitario: $0.03
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 11539
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 11539
Sostituti
-