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GermanyRFP8N18L
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
RFP8N18L
DESCRIZIONE
N-CHANNEL POWER MOSFET
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 180 V 8A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
PRODUTTORE
Harris Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
346
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Harris Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
180 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (Max)
±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
900 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
60W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
HARHARRFP8N18L
2156-RFP8N18L
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Harris Corporation RFP8N18L
Documenti e supporti
Datasheets
1(Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 346
Prezzo unitario: $0.87
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 346
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 346
Sostituti
-