VQ1001P-2

Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE

VQ1001P-2

DESCRIZIONE

MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP

DESCRIZIONE DETTAGLIATA

Mosfet Array 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP

PRODUTTORE

Vishay Siliconix

INIZIATIVA STANDARD

MODELLO EDACAD

PACCHETTO STANDARD

STOCK FORNITORI

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Specifiche tecniche

Mfr

Vishay Siliconix

Series

-

Package

Tube

Product Status

Obsolete

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Configuration

4 N-Channel

FET Feature

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

830mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.75Ohm @ 200mA, 5V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 15V

Power - Max

2W

Operating Temperature

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

-

Supplier Device Package

14-DIP

Base Product Number

VQ1001

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status

RoHS non-compliant

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Vishay Siliconix VQ1001P-2

Documenti e supporti

-

Quantità Prezzo

-

Sostituti

-

C0603C102J1RAC7867 CU-5475-B AFD57-14-19PW-6141 CPS22-NC00A10-SNCSNCNF-RI0GMVAR-W1068-S AD8029AKS-R2

VQ1001P-2

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Specifiche tecniche

Classificazioni ambientali e di esportazione

Altri nomi

Categoria

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Quantità Prezzo

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