Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRFD9014
DESCRIZIONE
MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
P-Channel 60 V 1.1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
IRFD9014 Models
PACCHETTO STANDARD
2,500

Specifiche tecniche

Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 660mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
270 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.3W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
4-HVMDIP
Package / Case
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Base Product Number
IRFD9014

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix IRFD9014

Documenti e supporti

Datasheets
1(IRFD9014)
HTML Datasheet
1(IRFD9014)
EDA Models
1(IRFD9014 Models)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : IRFD9014PBF
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 8,565
Prezzo unitario. : $1.33000
Tipo sostitutivo. : Direct