Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BSC884N03MSG
DESCRIZIONE
N-CHANNEL POWER MOSFET
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 34 V 17A (Ta), 85A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
799

Specifiche tecniche

Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
34 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
17A (Ta), 85A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2700 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-1
Package / Case
8-PowerTDFN

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

2156-BSC884N03MSG
IFEINFBSC884N03MSG

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BSC884N03MSG

Documenti e supporti

Datasheets
1(BSC884N03MS G)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 799
Prezzo unitario: $0.38
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 799

Sostituti

-