English
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GermanyNE3508M04-T2-A
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
NE3508M04-T2-A
DESCRIZIONE
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4TSMM
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
RF Mosfet 2 V 10 mA 2GHz 14dB 18dBm F4TSMM, M04
PRODUTTORE
CEL
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
CEL
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
GaAs HJ-FET
Frequency
2GHz
Gain
14dB
Voltage - Test
2 V
Current Rating (Amps)
120mA
Noise Figure
0.45dB
Current - Test
10 mA
Power - Output
18dBm
Voltage - Rated
4 V
Package / Case
SOT-343F
Supplier Device Package
F4TSMM, M04
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/RF FETs, MOSFETs/CEL NE3508M04-T2-A
Documenti e supporti
Datasheets
1(RF Wireless Brochure)
PCN Obsolescence/ EOL
()
PCN Design/Specification
1(Wafer Fab Chg 08/Jan/2016)
HTML Datasheet
1(NE3508M04)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
-