English
Spain
Rusia
China
Germany2SC6042,T2HOSH1Q(J
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
2SC6042,T2HOSH1Q(J
DESCRIZIONE
TRANS NPN 375V 1A MSTM
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor NPN 375 V 1 A 1 W Through Hole MSTM
PRODUTTORE
Toshiba Semiconductor and Storage
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
375 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 100mA, 800mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 5V
Power - Max
1 W
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
SC-71
Supplier Device Package
MSTM
Base Product Number
2SC6042
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
2SC6042T2HOSH1Q(J
2SC6042T2HOSH1QJ
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6042,T2HOSH1Q(J
Documenti e supporti
Datasheets
1(2SC6042)
HTML Datasheet
1(2SC6042)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
-