English
Spain
Rusia
China
GermanyLSIC1MO170E0750
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
LSIC1MO170E0750
DESCRIZIONE
SICFET N-CH 1700V 750OHM TO247-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 1700 V 6.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-247AD
PRODUTTORE
Littelfuse Inc.
INIZIATIVA STANDARD
89 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
30
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Littelfuse Inc.
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1700 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 2A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+22V, -6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
200 pF @ 1000 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
60W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AD
Package / Case
TO-247-3
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Littelfuse Inc. LSIC1MO170E0750
Documenti e supporti
Datasheets
1(LSIC1MO170E0750 Datasheet)
Featured Product
1(Silicon Carbide (SiC) Ultra-Fast Switching MOSFETs - LSIC1MO Series)
HTML Datasheet
1(LSIC1MO170E0750 Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 120
Prezzo unitario: $4.13475
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 30
Prezzo unitario: $4.46233
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $5.59
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
Sostituti
-