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GermanyTSM60NB260CI C0G
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
TSM60NB260CI C0G
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 600V 13A ITO220AB
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 600 V 13A (Tc) 32.1W (Tc) Through Hole ITO-220AB
PRODUTTORE
Taiwan Semiconductor Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
TSM60NB260CI C0G Models
PACCHETTO STANDARD
50
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Taiwan Semiconductor Corporation
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
260mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1273 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
32.1W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
ITO-220AB
Package / Case
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Base Product Number
TSM60
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
TSM60NB260CIC0G
TSM60NB260CI C0G-ND
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB260CI C0G
Documenti e supporti
Datasheets
1(TSM60NB260CI C0G)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(OBS 22/Jan/2024)
HTML Datasheet
1(TSM60NB260)
EDA Models
1(TSM60NB260CI C0G Models)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : TSM60NB260CI
Produttore. : Taiwan Semiconductor Corporation
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $3.97809
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $3.97809
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent