Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SIHG018N60E-GE3
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 600V 99A TO247AC
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 600 V 99A (Tc) 524W (Tc) Through Hole TO-247AC
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
28 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD

Specifiche tecniche

Mfr
Vishay Siliconix
Series
E
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
99A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
228 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7612 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
524W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AC
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
SIHG018

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHG018N60E-GE3

Documenti e supporti

Datasheets
1(SiHG018N60E)
Featured Product
1(MOSFETs in 5G)
PCN Assembly/Origin
1(Mosfet Mfg Add 28/Sep/2020)
PCN Packaging
1(Packing Tube Design 19/Sep/2019)
HTML Datasheet
1(SiHG018N60E)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 500
Prezzo unitario: $11.42896
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 100
Prezzo unitario: $12.6113
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 25
Prezzo unitario: $13.3996
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $16.55
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1

Sostituti

-