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Germany2SJ656
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
2SJ656
DESCRIZIONE
MOSFET P-CH 100V 18A TO220ML
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
P-Channel 100 V 18A (Ta) 2W (Ta), 30W (Tc) Through Hole TO-220ML
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
100
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75.5mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4200 pF @ 20 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2W (Ta), 30W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220ML
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Base Product Number
2SJ656
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi 2SJ656
Documenti e supporti
Datasheets
1(2SJ656)
Environmental Information
()
Product Drawings
1(TO-220ML Package P-Channel & N-Channel Top)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IXTP18P10T
Produttore. : IXYS
Quantità disponibile. : 2,543
Prezzo unitario. : $2.66000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 2,543
Prezzo unitario. : $2.66000
Tipo sostitutivo. : Similar