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GermanyIPAW60R280CEXKSA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IPAW60R280CEXKSA1
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 600V 19.3A TO220
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 600 V 19.3A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack, Wide Creepage
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
450
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
19.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 430µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
950 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
32W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220 Full Pack, Wide Creepage
Package / Case
TO-220-3 Full Pack, Variant
Base Product Number
IPAW60
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
INFINFIPAW60R280CEXKSA1
SP001391614
2156-IPAW60R280CEXKSA1
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPAW60R280CEXKSA1
Documenti e supporti
Datasheets
1(IPAW60R280CE)
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1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IPAW60R280P7SXKSA1
Produttore. : Rochester Electronics, LLC
Quantità disponibile. : 551
Prezzo unitario. : $0.77862
Tipo sostitutivo. : Similar
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Produttore. : Rohm Semiconductor
Quantità disponibile. : 23
Prezzo unitario. : $3.66000
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