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GermanySI5515DC-T1-GE3
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SI5515DC-T1-GE3
DESCRIZIONE
MOSFET N/P-CH 20V 4.4A/3A 1206-8
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Mosfet Array 20V 4.4A, 3A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
SI5515DC-T1-GE3 Models
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
N and P-Channel
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.4A, 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
Power - Max
1.1W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-SMD, Flat Lead
Supplier Device Package
1206-8 ChipFET™
Base Product Number
SI5515
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Vishay Siliconix SI5515DC-T1-GE3
Documenti e supporti
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Devices 15/Sep/2017)
HTML Datasheet
1(SI5515DC)
EDA Models
1(SI5515DC-T1-GE3 Models)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : SI5515CDC-T1-GE3
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 4,380
Prezzo unitario. : $0.80000
Tipo sostitutivo. : Direct
Quantità disponibile. : 4,380
Prezzo unitario. : $0.80000
Tipo sostitutivo. : Direct
Parte n. : TT8M1TR
Produttore. : Rohm Semiconductor
Quantità disponibile. : 6,717
Prezzo unitario. : $0.53000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 6,717
Prezzo unitario. : $0.53000
Tipo sostitutivo. : Similar