Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRF9530
DESCRIZIONE
MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
P-Channel 100 V 12A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220AB
PRODUTTORE
Harris Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
IRF9530 Models
PACCHETTO STANDARD
222

Specifiche tecniche

Mfr
Harris Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
500 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
75W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000

Altri nomi

HARHARIRF9530
2156-IRF9530

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Harris Corporation IRF9530

Documenti e supporti

Datasheets
1(IRF9530)
EDA Models
1(IRF9530 Models)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 222
Prezzo unitario: $1.35
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 222

Sostituti

-