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GermanyIXFN170N65X2
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IXFN170N65X2
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 650V 170A SOT227B
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 650 V 170A (Tc) 1170W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
PRODUTTORE
IXYS
INIZIATIVA STANDARD
47 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™, Ultra X2
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 85A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
434 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
27000 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1170W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Supplier Device Package
SOT-227B
Package / Case
SOT-227-4, miniBLOC
Base Product Number
IXFN170
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFN170N65X2
Documenti e supporti
Datasheets
()
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
Featured Product
1(Power MOSFETs 600 V to 700 V with HiPerFET™ Option - X2-Class Series)
HTML Datasheet
1(IXFN170N65X2)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 100
Prezzo unitario: $46.1892
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 10
Prezzo unitario: $51.321
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $56.45
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
Sostituti
-