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GermanyBSP603S2LHUMA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BSP603S2LHUMA1
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223-4
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 55 V 5.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
4,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1390 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.8W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-SOT223-4
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
SP000013597
BSP603S2L-ND
SP000431792
BSP603S2L
BSP603S2LT
BSP603S2LHUMA1-ND
448-BSP603S2LHUMA1TR
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BSP603S2LHUMA1
Documenti e supporti
Datasheets
1(BSP603S2L)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(BSP603S2L)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IRLL2705TRPBF
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 42,586
Prezzo unitario. : $0.96000
Tipo sostitutivo. : Similar
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Produttore. : Nexperia USA Inc.
Quantità disponibile. : 69,553
Prezzo unitario. : $0.87000
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