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GermanyPTF080101S V1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
PTF080101S V1
DESCRIZIONE
RF MOSFET LDMOS 28V H-32259-2
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
RF Mosfet 28 V 150 mA 960MHz 18.5dB 10W H-32259-2
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
500
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
GOLDMOS®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
LDMOS
Frequency
960MHz
Gain
18.5dB
Voltage - Test
28 V
Current Rating (Amps)
1µA
Noise Figure
-
Current - Test
150 mA
Power - Output
10W
Voltage - Rated
65 V
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
H-32259-2
Supplier Device Package
H-32259-2
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
SP000018181
PTF080101S V1-ND
PTF080101SV1
PTF080101SV1XT
F080101SV1XT
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/RF FETs, MOSFETs/Infineon Technologies PTF080101S V1
Documenti e supporti
Datasheets
1(PTF080101S)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(PTF080101S)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
-