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China
Germany2N5097
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
2N5097
DESCRIZIONE
TRANS NPN 600V 1A TO5
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor NPN 600 V 1 A 4 W Through Hole TO-5AA
PRODUTTORE
Microsemi Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
2N5097 Models
PACCHETTO STANDARD
1
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Microsemi Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
-
Current - Collector Cutoff (Max)
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Power - Max
4 W
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
-
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Supplier Device Package
TO-5AA
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
150-2N5097
2N5097-ND
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Microsemi Corporation 2N5097
Documenti e supporti
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 9/Jul/2018)
EDA Models
1(2N5097 Models)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
-