English
Spain
Rusia
China
GermanySTFI11N60M2-EP
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
STFI11N60M2-EP
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 600V I2PAK-FP
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 600 V 7.5A (Tc) 25W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
PRODUTTORE
STMicroelectronics
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
STMicroelectronics
Series
MDmesh™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
595mOhm @ 3.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
390 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
25W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I2PAKFP (TO-281)
Package / Case
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Base Product Number
STFI11N
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/STMicroelectronics STFI11N60M2-EP
Documenti e supporti
Datasheets
1(STFI11N60M2-EP)
HTML Datasheet
1(STFI11N60M2-EP)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : STF10N60M2
Produttore. : STMicroelectronics
Quantità disponibile. : 2,606
Prezzo unitario. : $1.51000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 2,606
Prezzo unitario. : $1.51000
Tipo sostitutivo. : Similar