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GermanyFQI6N40CTU
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FQI6N40CTU
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 400V 6A I2PAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 400 V 6A (Tc) 73W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
FQI6N40CTU Models
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
400 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
625 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
73W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-262 (I2PAK)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
FQI6
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FQI6N40CTU
Documenti e supporti
Datasheets
1(FQB6N40C, FQI6N40C)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(FQB6N40C, FQI6N40C)
EDA Models
1(FQI6N40CTU Models)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IRF730AL
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.00000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.00000
Tipo sostitutivo. : Similar