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GermanyBUK652R1-30C,127
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BUK652R1-30C,127
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 30 V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-220AB
PRODUTTORE
NXP USA Inc.
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
50
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
NXP USA Inc.
Series
TrenchMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
168 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
10918 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
263W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
BUK65
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
568-7491-5
NEXNXPBUK652R1-30C,127
2156-BUK652R1-30C127
BUK652R1-30C,127-ND
BUK652R130C127
934064241127
954-BUK652R1-30C127
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/NXP USA Inc. BUK652R1-30C,127
Documenti e supporti
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(MCU Dip Supply Situation 12/May/2015)
PCN Packaging
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 290
Prezzo unitario: $1.04
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 290
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 290
Sostituti
-