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China
GermanyNGTD13T65F2WP
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
NGTD13T65F2WP
DESCRIZIONE
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
IGBT Trench Field Stop 650 V Surface Mount Die
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
IGBT Type
Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 30A
Switching Energy
-
Input Type
Standard
Td (on/off) @ 25°C
-
Test Condition
-
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
Die
Supplier Device Package
Die
Base Product Number
NGTD13
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/Single IGBTs/onsemi NGTD13T65F2WP
Documenti e supporti
Datasheets
1(NGTD13T65F2)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 30/Mar/2023)
HTML Datasheet
1(NGTD13T65F2)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
-