Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SCT3080KRC14
DESCRIZIONE
SICFET N-CH 1200V 31A TO247-4L
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 1200 V 31A (Tc) 165W Through Hole TO-247-4L
PRODUTTORE
Rohm Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
20 Weeks
MODELLO EDACAD
SCT3080KRC14 Models
PACCHETTO STANDARD
30

Specifiche tecniche

Mfr
Rohm Semiconductor
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
104mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
785 pF @ 800 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
165W
Operating Temperature
175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247-4L
Package / Case
TO-247-4
Base Product Number
SCT3080

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

SCT3080KRC14-ND
846-SCT3080KRC14

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Rohm Semiconductor SCT3080KRC14

Documenti e supporti

Datasheets
1(SCT3080KRC14)
Product Training Modules
1(Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers)
Video File
()
Featured Product
1(SiC Power MOSFETs)
EDA Models
1(SCT3080KRC14 Models)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 510
Prezzo unitario: $11.3821
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 120
Prezzo unitario: $12.55958
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 30
Prezzo unitario: $13.34467
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $16.48
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1

Sostituti

-