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GermanyFF200R12KE3B2HOSA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FF200R12KE3B2HOSA1
DESCRIZIONE
IGBT MOD 1200V 295A 1050W
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
IGBT Module Half Bridge 1200 V 295 A 1050 W Chassis Mount Module
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
26 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
10
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Tray
Product Status
Active
IGBT Type
-
Configuration
Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
295 A
Power - Max
1050 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 200A
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
14 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
FF200R12
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
SP000100748
FF200R12KE3_B2
FF200R12KE3B2HOSA1-ND
448-FF200R12KE3B2HOSA1
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies FF200R12KE3B2HOSA1
Documenti e supporti
Environmental Information
1(RoHS Certificate)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 30
Prezzo unitario: $145.93133
Imballaggio: Tray
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Tray
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 10
Prezzo unitario: $151.632
Imballaggio: Tray
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Tray
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $161.89
Imballaggio: Tray
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Tray
Moltiplicatore minimo: 1
Sostituti
-