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GermanyA2T18S261W12NR3
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
A2T18S261W12NR3
DESCRIZIONE
RF MOSFET LDMOS 28V OM880X-2L2L
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
RF Mosfet 28 V 1.5 A 1.805GHz ~ 1.88GHz 18.2dB 280W OM-880X-2L2L
PRODUTTORE
NXP USA Inc.
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
250
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
LDMOS
Frequency
1.805GHz ~ 1.88GHz
Gain
18.2dB
Voltage - Test
28 V
Current Rating (Amps)
10µA
Noise Figure
-
Current - Test
1.5 A
Power - Output
280W
Voltage - Rated
65 V
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
OM-880X-2L2L
Supplier Device Package
OM-880X-2L2L
Base Product Number
A2T18
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/RF FETs, MOSFETs/NXP USA Inc. A2T18S261W12NR3
Documenti e supporti
Datasheets
1(A2T18S261W12NR3)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 17/Oct/2019)
PCN Packaging
()
HTML Datasheet
1(A2T18S261W12NR3)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : A2T18S262W12NR3
Produttore. : NXP USA Inc.
Quantità disponibile. : 6,500
Prezzo unitario. : $12.15200
Tipo sostitutivo. : Direct
Quantità disponibile. : 6,500
Prezzo unitario. : $12.15200
Tipo sostitutivo. : Direct