Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SI8481DB-T1-E1
DESCRIZIONE
MOSFET P-CH 20V 9.7A 4MICRO FOOT
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
P-Channel 20 V 9.7A (Tc) 2.8W (Tc) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
18 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
3,000

Specifiche tecniche

Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET® Gen III
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2500 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.8W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Package / Case
4-UFBGA
Base Product Number
SI8481

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

SI8481DB-T1-E1CT
SI8481DB-T1-E1TR
SI8481DB-T1-E1DKR

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SI8481DB-T1-E1

Documenti e supporti

Datasheets
1(SI8481DB)
Environmental Information
()
Featured Product
1(P-Channel MOSFETs)
HTML Datasheet
1(SI8481DB)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 75000
Prezzo unitario: $0.1111
Imballaggio: Tape & Reel (TR)
Moltiplicatore minimo: 6000
QUANTITÀ: 30000
Prezzo unitario: $0.11821
Imballaggio: Tape & Reel (TR)
Moltiplicatore minimo: 6000
QUANTITÀ: 9000
Prezzo unitario: $0.11999
Imballaggio: Tape & Reel (TR)
Moltiplicatore minimo: 6000
QUANTITÀ: 6000
Prezzo unitario: $0.13332
Imballaggio: Tape & Reel (TR)
Moltiplicatore minimo: 6000

Sostituti

-