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GermanyBSP300H6327XUSA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BSP300H6327XUSA1
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 800 V 190mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
SIPMOS®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
190mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
230 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.8W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-SOT223-4
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
SP001058720
2156-BSP300H6327XUSA1TR
BSP300H6327XUSA1CT
BSP300H6327XUSA1DKR
BSP300H6327XUSA1TR
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BSP300H6327XUSA1
Documenti e supporti
Datasheets
1(BSP300)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Packaging
()
HTML Datasheet
1(BSP300)
Simulation Models
1(MOSFET OptiMOS™ 240V, 400V, 600V and 800V N-Channel Spice Model)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : FQT1N80TF-WS
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.97000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.97000
Tipo sostitutivo. : Similar