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GermanyFQP12P10
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FQP12P10
DESCRIZIONE
MOSFET P-CH 100V 11.5A TO220-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
P-Channel 100 V 11.5A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220-3
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
FQP12P10 Models
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 5.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
800 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
75W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
FQP12
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FQP12P10
Documenti e supporti
Datasheets
1(FQP12P10)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 23/Dec/2021)
PCN Design/Specification
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN Assembly/Origin
1(MFG Site Addition 09/Mar/2020)
PCN Packaging
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
HTML Datasheet
1(TO220B03 Pkg Drawing)
EDA Models
1(FQP12P10 Models)
Product Drawings
1(TO220B03 Pkg Drawing)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IRF9Z24NPBF
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 4,771
Prezzo unitario. : $0.80000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 4,771
Prezzo unitario. : $0.80000
Tipo sostitutivo. : Similar