Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FF650R17IE4DB2BOSA1
DESCRIZIONE
IGBT MODULE 1700V 4150W
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
IGBT Module 2 Independent 1700 V 4150 W Chassis Mount Module
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
14 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
3

Specifiche tecniche

Mfr
Infineon Technologies
Series
PrimePACK™2
Package
Tray
Product Status
Active
IGBT Type
-
Configuration
2 Independent
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1700 V
Power - Max
4150 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.45V @ 15V, 650A
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
54 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
Yes
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
FF650R17

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

FF650R17IE4D_B2-ND
SP000621228
FF650R17IE4DB2BOSA1-ND
2156-FF650R17IE4DB2BOSA1
448-FF650R17IE4DB2BOSA1
FF650R17IE4D_B2

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies FF650R17IE4DB2BOSA1

Documenti e supporti

Datasheets
1(FF650R17IE4D_B2)
Environmental Information
1(RoHS Certificate)
HTML Datasheet
1(FF650R17IE4D_B2)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 12
Prezzo unitario: $529.22083
Imballaggio: Tray
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $549.89
Imballaggio: Tray
Moltiplicatore minimo: 1

Sostituti

-