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GermanyBFP182WE6327
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BFP182WE6327
DESCRIZIONE
RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
RF Transistor NPN 12V 35mA 8GHz 250mW Surface Mount PG-SOT343-4
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
3,463
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12V
Frequency - Transition
8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)
0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Gain
22dB
Power - Max
250mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 8V
Current - Collector (Ic) (Max)
35mA
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SC-82A, SOT-343
Supplier Device Package
PG-SOT343-4
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Altri nomi
2156-BFP182WE6327
IFEINFBFP182WE6327
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar RF Transistors/Infineon Technologies BFP182WE6327
Documenti e supporti
Datasheets
1(BFP182W)
HTML Datasheet
1(BFP182W)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 3463
Prezzo unitario: $0.09
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 3463
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 3463
Sostituti
-