Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
NP90N055VDG-E1-AY
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 55V 90A TO252
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 55 V 90A (Tc) 1.2W (Ta), 105W (Tc) Surface Mount TO-252
PRODUTTORE
Renesas Electronics Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
171

Specifiche tecniche

Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6900 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.2W (Ta), 105W (Tc)
Operating Temperature
175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

RENRNSNP90N055VDG-E1-AY
2156-NP90N055VDG-E1-AY-RETR-ND
2156-NP90N055VDG-E1-AY

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Renesas Electronics Corporation NP90N055VDG-E1-AY

Documenti e supporti

Datasheets
1(NP90N055VDG-E1-AY)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 171
Prezzo unitario: $1.76
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 171

Sostituti

-