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GermanyAPT1001R1BN
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
APT1001R1BN
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 1000 V 10.5A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AD
PRODUTTORE
Microchip Technology
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Microchip Technology
Series
POWER MOS IV®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 5.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2950 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
310W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AD
Package / Case
TO-247-3
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Microchip Technology APT1001R1BN
Documenti e supporti
Datasheets
1(APT1001R1BN, APT1001R3BN)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Legacy Prod EOL 1/Mar/2017)
HTML Datasheet
1(APT1001R1BN, APT1001R3BN)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IXFX12N90Q
Produttore. : IXYS
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.00000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.00000
Tipo sostitutivo. : Similar