Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SIHH11N60E-T1-GE3
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 600V 11A PPAK 8 X 8
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 600 V 11A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
21 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
3,000

Specifiche tecniche

Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
339mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1076 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
114W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® 8 x 8
Package / Case
8-PowerTDFN
Base Product Number
SIHH11

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

SIHH11N60E-T1-GE3DKR
SIHH11N60E-T1-GE3CT
SIHH11N60E-T1-GE3TR

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHH11N60E-T1-GE3

Documenti e supporti

Datasheets
1(SIHH11N60E)
Featured Product
1(SiHH26N60E, SiHH21N60E, SiHH14N60E, and SiHH11N60E MOSFETs)
HTML Datasheet
1(SIHH11N60E)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 6000
Prezzo unitario: $1.41
Imballaggio: Tape & Reel (TR)
Moltiplicatore minimo: 3000
QUANTITÀ: 3000
Prezzo unitario: $1.46967
Imballaggio: Tape & Reel (TR)
Moltiplicatore minimo: 3000

Sostituti

Parte n. : IPL60R360P6SATMA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 681
Prezzo unitario. : $1.87000
Tipo sostitutivo. : Similar